반응형 wide bandgap 광대역 반도체1 GaN — 갈륨 나이트라이드, 실리콘을 넘어서는 차세대 전력 반도체 약어 GaN — 차세대 전력 반도체 한 글자**GaN(지에이엔)**은 **Gallium Nitride(갈륨 나이트라이드)**의 영어 약자. 실리콘(Si)을 넘어서는 차세대 화합물 반도체로, 5G 통신·전기차·고속 충전기·태양광 인버터 등 모든 미래 전력 응용의 핵심 소재.영어 뜻GaNGallium Nitride 약자Gallium Nitride갈륨 나이트라이드 (질화갈륨)wide bandgap semiconductor광대역 반도체compound semiconductor화합물 반도체power electronics전력 전자실리콘(silicon) 반도체가 60년간 지배해왔지만, GaN이 고전압·고주파·고온 영역에서 실리콘의 한계를 뛰어넘으며 새 시대를 열고 있다.Gallium Nitride 어원GaN은 두 원소의 화.. 2026. 6. 20. 이전 1 다음 반응형